한국의 메모리 반도체 양대 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 AI 시대의 핵심 기술인 HBM(High Bandwidth Memory) 시장에서 치열한 경쟁을 벌이며 글로벌 반도체 슈퍼사이클을 주도하고 있다. 9월 29일 현재 양사는 차세대 HBM4 대량생산을 앞두고 기술력 확보와 시장 점유율 확대에 총력을 기울이고 있는 상황이다.
모건스탠리는 최근 기존의 “반도체 겨울론”을 뒤집고 삼성전자와 SK하이닉스의 목표주가를 대폭 상향 조정했다고 발표했다. 이는 AI 수요 폭증으로 인한 메모리 슈퍼사이클이 본격화되고 있다는 분석에 기반한 것으로, 특히 HBM을 중심으로 한 고부가가치 메모리 제품의 수요가 급증하고 있기 때문이다.
SK하이닉스, HBM 시장 선도하며 역사적 성과 달성
SK하이닉스는 현재 HBM 시장에서 50% 이상의 압도적 점유율을 차지하며 시장을 선도하고 있다. 특히 주목할 만한 성과는 2025년 1분기 DRAM 시장 매출에서 삼성전자를 처음으로 추월했다는 점이다. 이는 SK하이닉스 창립 이래 최초의 기록으로, HBM 제품의 고수익성이 주요 요인으로 작용했다.
업계 전문가들은 SK하이닉스가 2025년 연간 매출 97조원, 영업이익 45조4천억원(약 323억 달러)을 달성할 가능성이 높다고 전망하고 있다. 이는 삼성전자 반도체 부문의 영업이익 추정치(27조9천억원~49조원)에 근접하는 수준으로, HBM4 제품과 고대역폭 메모리 칩의 판매 확대가 핵심 동력이 될 것으로 예상된다.
삼성전자, 차세대 기술로 반격 준비
삼성전자는 업계 최초로 12나노미터 “24Gb GDDR7 DRAM” 개발을 완료하며 AI 수요에 대응하고 있다. 또한 업계 유일의 1c(10나노미터 6세대) DRAM 공정과 4나노미터 파운드리 공정을 적용한 제품을 개발해 고객사에 HBM4 샘플을 출하하고 있다.
삼성전자의 HBM4 기술은 HBM3E 대비 약 40%의 전력 효율성 개선을 달성했으며, 최대 데이터 처리 속도는 11Gbps에 달한다. 이는 기존 DRAM 대비 극적으로 향상된 성능으로, AI 가속기의 핵심 구성 요소로서 NVIDIA가 주도하는 시장에서 경쟁력을 확보했다는 평가를 받고 있다.
HBM 기술은 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 연결해 기존 DRAM 대비 데이터 처리 속도를 극적으로 향상시키는 혁신적인 제품이다. 삼성전자의 HBM3 기술은 초당 819GB의 전송 속도를 구현해 AI 데이터 처리에 최적화된 성능을 제공하고 있다.
글로벌 투자 급증과 시장 전망
2025년 글로벌 DRAM 투자는 전년 대비 54% 증가할 것으로 예상되며, 낸드플래시 투자도 14% 성장할 전망이다. 이는 2017년 클라우드 컴퓨팅, 2021년 팬데믹으로 인한 공급 부족에 이은 세 번째 대규모 투자 사이클로, AI가 핵심 동력으로 작용하고 있다.
특히 마이크론의 강력한 실적 발표 이후 삼성전자와 SK하이닉스에 대한 성과 기대감이 커지고 있으며, 반도체 시장이 메모리 슈퍼사이클 진입을 확실히 하고 있다는 분석이 지배적이다. 양사는 2026년부터 본격적인 HBM4 양산을 통해 이러한 시장 기회를 적극 활용할 계획이다.
한국의 반도체 산업은 AI 시대의 핵심 인프라인 HBM 기술을 통해 글로벌 기술 패권 경쟁에서 우위를 점하고 있으며, 삼성전자와 SK하이닉스의 치열한 경쟁은 한국 반도체 산업 전체의 기술력 향상과 국제 경쟁력 강화로 이어질 것으로 기대된다. 특히 AI 데이터센터와 자율주행차, 스마트폰 등 다양한 분야에서 HBM 수요가 폭증하고 있어, 양사의 기술 혁신과 생산 능력 확대가 한국 경제 성장의 새로운 동력이 될 전망이다.
