삼성전자가 차세대 메모리 반도체 기술의 핵심인 6세대 D1c D램 양산 승인을 완료했다.
30일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 10나노급 6세대 D1c D램 개발에 성공해 양산 승인을 마쳤다. PRA는 공정 중 내부 기준을 충족한 제품에 대해 양산을 해도 좋다는 승인이 난 것을 의미한다.
**D1c 기술의 혁신적 의미**
D1c는 최신형 D램에 해당하는 10나노급 이하 초미세 공정으로 분류된다. 회로 선폭에 따라 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 순으로 세대가 구분되며, 숫자가 낮고 알파벳이 뒤로 갈수록 더욱 미세한 공정을 의미한다.
이번 D1c 공정은 약 12-13nm 이하의 초미세 공정으로, 기존 대비 집적도와 성능이 대폭 향상된 것이 특징이다. 특히 고대역폭메모리 HBM4 다이 생산에 핵심적으로 활용될 예정이어서 업계의 주목을 받고 있다.
삼성전자는 이미 HBM3E 12단 제품을 업계 최초로 개발해 올해 상반기 중 양산을 목표로 하고 있으며, D1c 공정을 통해 차세대 HBM4 시장에서도 주도권을 확보하려는 전략이다.
**AI 시대 메모리 반도체 경쟁 격화**
인공지능 기술 발전으로 고성능 메모리에 대한 수요가 급증하면서 HBM 시장이 폭발적으로 성장하고 있다. 특히 엔비디아의 차세대 AI 칩에 사용될 HBM4는 업계 최고 수준의 기술력이 요구되는 제품이다.
현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 선도하고 있으나, 삼성전자가 D1c 공정을 무기로 반격에 나서면서 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 이미 HBM3E 양산을 진행 중이며, HBM4 개발에도 박차를 가하고 있다.
마이크론도 HBM 시장 진입을 위해 대규모 투자를 진행하고 있어, 글로벌 메모리 3강 체제의 경쟁이 본격화되고 있다.
**엔비디아 공급업체 승인이 관건**
삼성전자의 HBM 사업 성공을 위해서는 엔비디아의 공급업체 승인이 가장 중요한 과제다. 엔비디아는 AI 칩 시장에서 압도적 점유율을 보유하고 있어, 엔비디아 승인 여부가 HBM 시장 점유율을 좌우하는 핵심 요소가 되고 있다.
삼성전자는 HBM3E 제품에 대한 엔비디아 품질 인증을 올 상반기 중 완료하는 것을 목표로 하고 있다. 젠슨 황 엔비디아 CEO가 지난 3월 삼성전자 HBM3E 제품에 승인 서명을 남긴 것이 긍정적 신호로 해석되고 있다.
업계에서는 삼성전자가 올해 3분기부터 엔비디아에 HBM 공급을 시작할 가능성이 높다고 보고 있다.
**반도체 업계 판도 변화 예상**
D1c 양산 승인으로 삼성전자는 메모리 반도체 기술 경쟁에서 한 발 앞서 나갈 수 있게 됐다. 특히 HBM4 시장에서는 SK하이닉스와의 기술 격차를 줄이며 시장 점유율 확대를 노릴 수 있을 것으로 전망된다.
반도체 업계는 AI 혁명으로 인한 메모리 수요 급증에 대응하기 위해 기술 개발 경쟁을 가속화하고 있다. 삼성전자의 D1c 성공은 이러한 경쟁에서 중요한 전환점이 될 것으로 분석된다.
앞으로 HBM4 양산 시점과 엔비디아 승인 일정이 삼성전자 메모리 사업의 성패를 가름할 핵심 변수가 될 전망이다.
